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MM3Z3V3TT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-13
产品型号:MM3Z3V3TT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.100齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):95最大功率PMax(W):0.200芯片标识:5封装/温度(℃):SOD323/-65~150价格/1片 ...<全部>
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