研发资源 > 标签 > MMBZ5237ELT1G
|相关技术

MMBZ5237ELT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-12
产品型号:MMBZ5237ELT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.790齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.610@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):8最大功率PMax(W):0.225芯片标识:BF9封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价 ...<全部>
  • 177
上一个 下一个
|最新活动
都2025年了，新品发布会怎么玩？

都2025年了，新品发布会怎么玩？
|相关标签
|热门文章
MMBZ5237ELT1G的技术参数

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.