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MMBZ5260BLT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-12
产品型号:MMBZ5260BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):40.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):43齐纳击穿电压Vz最大值(V):45.150@Izt(mA):3齐纳阻抗Zzt(Ω):93最大功率PMax(W):0.225芯片标识:81L封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价格 ...<全部>
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