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MMBZ5239BLT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-12
产品型号:MMBZ5239BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.640齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.560@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大功率PMax(W):0.225芯片标识:8P封装/温度(℃):3SOT-23/-65~150价 ...<全部>
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