MOSFET晶体管-EDA365

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SI新IGBT可降低关断能耗.缩小空间

发布时间：2020-07-08

2008年5月13日.意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管(IGBT).新系列产品采用高效的寿命控制工艺.有效降低关断期间的能耗.如果设计工程师采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH™).用于工作 ...<全部>

电路设计

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意法半导体推出可促进环保且具有高温性能的功率芯片

发布时间：2020-06-18

横跨多重电子应用领域.全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics.简称ST,纽约证券交易所代码:STM)发布一系列新的先进产品.新产品让电源设计人员能够提高太阳能逆变器和电动汽车.企业计算和工业 ...<全部>

技术百科

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ST高压晶体管技术协助开发高能效电源

发布时间：2020-06-09

意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管.新产品的击穿电压更高.抗涌流能力更强.电能损耗更低.特别适用于设计液晶显示器.电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源. STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950 ...<全部>

电源硬件技术

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一期总投资5亿，出场即“巅峰”，这家EDA公司凭什么立足？

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