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MTB50P03HDLT4G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:MTB50P03HDLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25最大漏极电流Id(on)(A):50通道极性:P沟道封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175描述:50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥20.50 ...<全部>
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GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.