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MTD5P06VT4G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:MTD5P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):450最大漏极电流Id(on)(A):5通道极性:P沟道封装/温度(℃):3DPAK/-65~175描述:5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥3.23 ...<全部>
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GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.