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MTD6N20ET4G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:MTD6N20ET4G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):700最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(℃):3DPAK/-55~150描述:6A,200V,DPAK,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥6.86 ...<全部>
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GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.