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MTP12P10G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:MTP12P10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-65~150描述:12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥10.80 ...<全部>
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