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NTP35N15G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:NTP35N15G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):37通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:37 A, 150 V功率MOSFET价格/1片(套):￥18.00 ...<全部>
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