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NTB75N03L09T4G的技术参数

 发布时间：2021-07-28
产品型号:NTB75N03L09T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~150描述:35V,75A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 ...<全部>
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