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NTB85N03的技术参数

 发布时间：2021-07-28
产品型号:NTB85N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~150描述:85A,28V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥9.20 ...<全部>
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