NTD110N02R-EDA365

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NTD110N02R-001G的技术参数

发布时间：2021-07-28

产品型号:NTD110N02R-001G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 3/-55 ~150描述:24 V, 110 A功率MOSFET价格/1片(套):￥6.00 ...<全部>

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NTD110N02R的技术参数

发布时间：2021-07-28

产品型号:NTD110N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:110A,24V功率MOSFET价格/1片(套):￥9.20 ...<全部>

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