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NTD12N10的技术参数

 发布时间：2021-07-28
产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:12A,100V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥4.20 ...<全部>
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