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NTD4813NT4G的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD4813NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):13最大漏极电流Id(on)(A):40通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55~175描述:40A,30V,,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥3.10 ...<全部>
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