研发资源 > 标签 > NTD50N03RG
|相关技术

NTD50N03RG的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD50N03RG源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.700最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:25V,45A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 ...<全部>
  • 189
上一个 下一个
|最新活动
第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场
|相关标签
|热门文章
NTD50N03RG的技术参数

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.