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NTD65N03R-1G的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD65N03R-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.400最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175描述:25V,65A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 ...<全部>
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GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.