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NTHD2102PT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHD2102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-4.6A, -8V双功率MOSFET价格/1片(套):￥2.60 ...<全部>
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