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产品型号:NTHD2102PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):1
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V
最大漏极电流Id(on)(A):1
通道极性:P/P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-4.6A, -8V双功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.60
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