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产品型号:NTHC5513T1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):3.900
通道极性:N/P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.40
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