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NTHD4N02FT1的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHD4N02FT1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):2.700通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~125描述:-2.7A,-20V P沟道功率MOSFET和肖特基二极管价 ...<全部>
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