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NTHD4P02FT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHD4P02FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥2.80 ...<全部>
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