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NTHS5443T1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHS5443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):4.900通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20V, -4.9 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.44 ...<全部>
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