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NTJD1155LT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTJD1155LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET价格/1片(套):￥1.60 ...<全部>
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