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NTJD4105CT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTJD4105CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):200最大漏极电流Id(on)(A):0.775通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20V/-8V .+0.63A/-0.775A MOSFET价格/1 ...<全部>
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