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NTJD4158CT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTJD4158CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30/20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):260最大漏极电流Id(on)(A):0.25/0.88通道极性:N/P封装/温度(℃):SC88-6/-55~150描述:30V/-20V,0.25A/-0.88A,N/P沟道双MOSFET价格/1 ...<全部>
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