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NTMFS4119NT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-23
产品型号:NTMFS4119NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.500最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N封装/温度(℃):SO-8FL/-55~150描述:30V,30A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 ...<全部>
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