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NTMFS4120NT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-23
产品型号:NTMFS4120NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.500最大漏极电流Id(on)(A):31通道极性:N沟道封装/温度(℃):DFN6/-55 ~150描述:30 V, 31 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥7.40 ...<全部>
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