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NTTS2P02R2G的技术参数

 发布时间：2021-07-22
产品型号:NTTS2P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.250通道极性:P沟道封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150描述:-2.4 A, -20 V 双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00 ...<全部>
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