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NTTS2P03R2G的技术参数

 发布时间：2021-07-22
产品型号:NTTS2P03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):135最大漏极电流Id(on)(A):2.480通道极性:P沟道封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150描述:-2.48 A, -30 V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.50 ...<全部>
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