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NTY100N10G的技术参数

 发布时间：2021-07-22
产品型号:NTY100N10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11最大漏极电流Id(on)(A):100通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-264/-55 ~150描述:100 V, 123 A,双功率MOSFET价格/1片(套):￥84.00 ...<全部>
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