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Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET

 发布时间：2024-12-23
产品特性:新产品包括两款20V 和两款30V n通道器件首次采用TurboFET技术.栅极电荷降低多达 45%超低的导通电阻与栅极电荷乘积可选择以更高的频率工作均无卤素.且 100% 通过 Rg 和 UIS 测试应用范围:笔记本电脑.稳 ...<全部>
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一颗引发行业变革的红外芯片

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