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Vishay发布新的150V N沟道MOSFET

 发布时间：2020-05-21
器件的RDS(ON)比前一代器件低53%.TSOP-6封装的占位面积小55%. 宾夕法尼亚.MALVERN - 2014 年 5 月8 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出业界首款采用小尺寸.热增强型SC ...<全部>
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Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK® SC-70封装的150V N沟道MOSFET

 发布时间：2024-11-22
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出业界首款采用小尺寸.热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ.VishaySiliconixSiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm.在10V下具有业内 ...<全部>
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