VDMOS-EDA365

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一种减少VDMOS寄生电容的新结构的研究

发布时间：2021-08-02

0 引言 VDMOS与双极晶体管相比.它的开关速度快.开关损耗小.输入电阻高.驱动电流小.频率特性好.跨导高度线性等优点.特别值得指出的是.它具有负温度系数.没有双极功率管的二次击穿问题.安全工作区大.因 ...<全部>

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一种减少VDMOS寄生电容的新结构的研究

发布时间：2020-07-02

0 引言VDMOS与双极晶体管相比.它的开关速度快.开关损耗小.输入电阻高.驱动电流小.频率特性好.跨导高度线性等优点.特别值得指出的是.它具有负温度系数.没有双极功率管的二次击穿问题.安全工作区大.因此. ...<全部>

模拟电路设计

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基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性

发布时间：2020-07-02

0 引言垂直导电双扩散场(VDMOS)效应晶体管是新一代集成化半导体电力器件的代表［1］.与功率晶体管相比.具有输入阻抗高.热稳定性高.开关速度快.驱动电流小.动态损耗小.失真小等优点.因此VDMOS广泛应用在电 ...<全部>

模拟电路设计

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一种减少VDMOS寄生电容的新结构

发布时间：2020-06-28

0 引言VDMOS与双极晶体管相比.它的开关速度快.开关损耗小.输入电阻高.驱动电流小.频率特性好.跨导高度线性等优点.特别值得指出的是.它具有负温度系数.没有双极功率管的二次击穿问题.安全工作区大.因此. ...<全部>

模拟电路设计

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士兰微电子推出高压VDMOS-S-RinTM系列

发布时间：2020-06-08

士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品--S-RinTM系列高压VDMOS.这是士兰微电子历经多年的自主研发所推出的第三代高压MOSFET产品.相比较于前两代的产品.S-RinTM系列高压VDMOS产品性能更加优越.工作电压可以覆 ...<全部>

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Cool-MOS的定义.优势及实际应用问题分析

发布时间：2024-11-05

对于Cool-MOS的简述对于常规VDMOS 器件结构. Rdson 与BV 这一对矛盾关系.要想提高BV.都是从减小EPI 参杂浓度着手.但是外延层又是正向电流流通的通道.EPI 参杂浓度减小了.电阻必然变大.Rdson 就大了.Rdson直 ...<全部>

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VDMOS
Cool-MOS

76

Cool-MOS的优势及存在的一些问题!

发布时间：2024-11-05

一.对于Cool-MOS的简述对于常规VDMOS 器件结构. Rdson 与BV 这一对矛盾关系.要想提高BV.都是从减小EPI 参杂浓度着手.但是外延层又是正向电流流通的通道.EPI 参杂浓度减小了.电阻必然变大.Rdson 就大了.Rdso ...<全部>

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