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Cool-MOS的优势及存在的一些问题!

 发布时间：2024-11-05
一.对于Cool-MOS的简述对于常规VDMOS 器件结构. Rdson 与BV 这一对矛盾关系.要想提高BV.都是从减小EPI 参杂浓度着手.但是外延层又是正向电流流通的通道.EPI 参杂浓度减小了.电阻必然变大.Rdson 就大了.Rdso ...<全部>
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