trench-EDA365

研发资源 > 标签 > trench

|相关技术

Power Trench MOSFET让更高功率密度成可能

发布时间：2020-06-29

引言对于现代的数据与电信电源系统.更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点.因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单.从拓扑的角度来看.同步整流器的传导损耗和开关损耗都更低.能够提高这些转换级的效 ...<全部>

分离器件设计

|

81

Vishay推出新款表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器系列

发布时间：2020-05-27

电子网消息.日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出新款表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器系列.该器件采用eSMP®系列的SlimDPAK(TO-252AE)封装.Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO ...<全部>

半导体生产

|

120

恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60V和100V器件

发布时间：2020-05-23

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出全新60 V和100 V晶体管.扩充Trench 6 MOSFET产品线.新产品采用Power SO-8LFPAK封装.支持60 V和100 V两种工作电压.Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新 ...<全部>

分离器件设计

|

180

Vishay发布80V Trench MOS势垒肖特基整流器

发布时间：2020-05-21

Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器.这些整流器采用4种功率封装.具有10A-30A的电流额定范围. 今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S.V(B,F ...<全部>

分离器件设计

|

100

HOMSEMI中低压MOSFET全面升级8英寸0.18μm Trench工艺

发布时间：2024-11-22

新闻事件:HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸0.18μm Trench工艺晶圆事件影响:Power MOSFET的原胞密度提高.RDS(ON)降低.QG降低整机效率提高.成本控制能力更好HOMSEMI成为国内一线分立功率半导体品牌2011年12月. ...<全部>

电源硬件技术

|

18

上一个下一个

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

|相关标签

|热门文章

Vishay发布80V Trench MOS势垒肖特基整流器

Power Trench MOSFET让更高功率密度成可能

恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60V和100V器件

Vishay推出新款表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器系列