×
搜索
每日签到
|
APP下载
|
登录
首页
研发技术
技术分类
嵌入式
模拟电子
电磁兼容
单片机
电池
电源
RF射频
传感器
显示-光电
FPGA/DSP
接口总线驱动
全部
前沿技术
高通5G手机芯片性能测评
高频小信号谐振放大电路时域与频域对比分析
高薪IC设计工程师是如何炼成的?
龙芯发布四款芯片:加速产业布局 中国芯大有可为
为什么我们要用隔离式放大器
热门技术文章
液晶显示器控制设计_含源程序代码
飞思卡尔数字压力传感器实现硬盘驱动存储容量增加
骁龙710为全新层级的智能手机提供用户所需的的顶级特性
解读西部电子设计行业四大亮点
节点转换成本升级,摩尔定律将在2014年被打破?
适用于WLAN IEEE80211a标准的双模前置分频器设计
行业应用
行业应用
医疗电子
物联网
智能电网
汽车电子
工业控制
AI
家电数码
热门应用
物联网网关是智能家居发展的重要支撑
齐聚澳门 ViewSonic优派助阵MDL Macau Dota 2 国际精英邀请赛
龙芯、飞腾、申威进入国企采购目录 但不应过度解读
绝缘电阻极化指数测量方法
阿特斯阳光电力加入 Intertek ‘卫星计划’
最新应用文章
区块链本体跨链技术设计方案解析
机器人技术电路设计图集锦
智能手环怎么用_智能手环使用教程
以IoT联接智能家居和楼宇
工业机器人控制系统由什么组成
绝缘电阻测试仪及兆欧表的组成和选用标准
电子论坛
社区导航
更多>
硬件设计讨论
电磁兼容&安规论坛
射频RF|微波技术
电源技术论坛
信号完整性SI/PI仿真
芯片SIP|封装设计
单片机|MCU论坛
ARM|DSP嵌入式论坛
物联网技术
FPGA|CPLD论坛
MATLAB论坛
器件选型&认证
Cadence Allegro论坛
Allegro Skill开发
Orcad|Concept论坛
Mentor Xpedition论坛
PADS PCB论坛
Altium Protel论坛
PCB封装库论坛
EDA365作品展
PCB生产工艺论坛
电子装联PCBA工艺&设备论坛
IPD流程管理
失效分析&可靠性
元器件国产化论坛
EDA365线下活动区
职业生涯
EDA365原创吧
巢粉引擎
电巢直播
研发资源
电子百科
器件手册
设计外包
EDA365 Skill
EDA365 Tools
Xilinx开发者社区
电巢
研发资源
>
标签
>
trench
trench
...
|
相关技术
Power Trench MOSFET让更高功率密度成可能
发布时间:2020-06-29
引言对于现代的数据与电信电源系统.更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点.因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单.从拓扑的角度来看.同步整流器的传导损耗和开关损耗都更低.能够提高这些转换级的效 ...
<全部>
分离器件设计
|
MOSFET
power
trench
81
Vishay推出新款表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器系列
发布时间:2020-05-27
电子网消息.日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出新款表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器系列.该器件采用eSMP®系列的SlimDPAK(TO-252AE)封装.Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO ...
<全部>
半导体生产
|
Vishay
MOS
trench
TMBS
120
恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60V和100V器件
发布时间:2020-05-23
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出全新60 V和100 V晶体管.扩充Trench 6 MOSFET产品线.新产品采用Power SO-8LFPAK封装.支持60 V和100 V两种工作电压.Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新 ...
<全部>
分离器件设计
|
MOSFET
器件
NXP
trench
SO-8LFPAK
180
Vishay发布80V Trench MOS势垒肖特基整流器
发布时间:2020-05-21
Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器.这些整流器采用4种功率封装.具有10A-30A的电流额定范围. 今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S.V(B,F ...
<全部>
分离器件设计
|
Vishay
整流器
MOS
trench
TMBS
100
HOMSEMI中低压MOSFET全面升级8英寸0.18μm Trench工艺
发布时间:2024-11-02
新闻事件:HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸0.18μm Trench工艺晶圆事件影响:Power MOSFET的原胞密度提高.RDS(ON)降低.QG降低整机效率提高.成本控制能力更好HOMSEMI成为国内一线分立功率半导体品牌2011年12月. ...
<全部>
电源硬件技术
|
MOSFET
trench
HOMSEMI
Power MOSFET
18
上一个
下一个
|
最新活动
国产PCIe Retimer芯片!破解高速传输信号完整性难题
|
相关标签
MOSFET
MOS
TMBS
Vishay
整流器
器件
HOMSEMI
NXP
|
热门文章
Power Trench MOSFET让更高功率密度成可能
Vishay推出新款表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器系列
恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60V和100V器件
Vishay发布80V Trench MOS势垒肖特基整流器