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Power Trench MOSFET让更高功率密度成可能
发布时间:2020-06-29
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Vishay推出新款表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器系列
发布时间:2020-05-27
电子网消息.日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出新款表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器系列.该器件采用eSMP®系列的SlimDPAK(TO-252AE)封装.Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO ...
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恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60V和100V器件
发布时间:2020-05-23
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Vishay发布80V Trench MOS势垒肖特基整流器
发布时间:2020-05-21
Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器.这些整流器采用4种功率封装.具有10A-30A的电流额定范围. 今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S.V(B,F ...
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HOMSEMI中低压MOSFET全面升级8英寸0.18μm Trench工艺
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新闻事件:HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸0.18μm Trench工艺晶圆事件影响:Power MOSFET的原胞密度提高.RDS(ON)降低.QG降低整机效率提高.成本控制能力更好HOMSEMI成为国内一线分立功率半导体品牌2011年12月. ...
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