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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计(二)

发布时间：2020-07-08

3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中.一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构.其原理如下:主要利用结构中的RC延迟作用.一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间. ...<全部>

模拟电路设计

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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计

发布时间：2020-07-08

1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一.其ESD结构与工艺技术.特征尺寸密切相关.随着IC工艺技术的进一步发展.特征尺寸越来越小.管子的栅氧层厚度越来 ...<全部>

模拟电路设计

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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计(一)

发布时间：2020-07-02

1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一.其ESD结构与工艺技术.特征尺寸密切相关.随着IC工艺技术的进一步发展.特征尺寸越来越小.管子的栅氧层厚度越来 ...<全部>

模拟电路设计

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亚微米IC设计挑战

发布时间：2020-06-29

在芯片科技日新月异的驱策下.设计挑战也持续倍增;全球消费者导向市场瞬息万变.设计师的效率也愈形重要.与几代之前的芯片相比较.今日的实体设计复杂程度常令人瞠目结舌;特别在互连性(Interconnectivity)的焦点上 ...<全部>

模拟电路设计

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45

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计(一)

发布时间：2020-06-23

1 引言 ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一.其ESD结构与工艺技术.特征尺寸密切相关.随着IC工艺技术的进一步发展.特征尺寸越来越小.管子的栅氧层厚度 ...<全部>

集成电路

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亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计

发布时间：2020-06-23

3 仿真分析及具体设计结果 3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中.一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构.其原理如下: 主要利用结构中的RC延迟作用.一般T=RC被设计为100ns- ...<全部>

集成电路

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亚微米IC设计挑战

发布时间：2020-06-04

在芯片科技日新月异的驱策下.设计挑战也持续倍增;全球消费者导向市场瞬息万变.设计师的效率也愈形重要.与几代之前的芯片相比较.今日的实体设计复杂程度常令人瞠目结舌;特别在互连性(Interconnectivity)的焦点上 ...<全部>

技术百科

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深亚微米电流灵敏放大器

发布时间：2024-05-17

中心议题:电流灵敏放大器的基本结构新型电流灵敏放大器的异同点解决方案:通过一个反相器实现对预充电电路的关闭第二级放大器为反相器链随着便携式电子设备(PDA.射频卡.GPS等)的广泛应用.半导体存储器得到了长足 ...<全部>

电源硬件技术

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