宽禁带-EDA365

研发资源 > 标签 > 宽禁带

|相关技术

碳化硅瞄准新的电力电子行业

发布时间：2023-02-22

碳化硅(SiC)技术有望实现更高的效率.更小的外形尺寸.更低的成本并降低对更智能电源设计的冷却要求.广泛采用的宽禁带(WBG)半导体技术在电力电子行业继续增长.碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体材料表现出优越的性能 ...<全部>

技术百科

|

88

宽禁带在EV充电器中的应用

发布时间：2021-11-16

电动汽车(EV)是电动汽车成功的一个基本因素.因为与传统内燃机汽车相比.电动汽车减少了对环境的影响.降低了运营成本.在等待电动汽车充电网络达到类似于普通加油站的毛细度时.电动汽车必须配备车载充电电路.以确 ...<全部>

技术百科

|

167

宽禁带器件为什么适合太阳能发电应用

发布时间：2021-05-14

在使用的各种形式的可再生能源中.太阳能和风力发电已成为最经常使用的能源.并承担了大部分清洁.可再生能源发电的责任.在这里.安森美产品线经理Brandon Becker解释了宽禁带半导体如何帮助太阳能发电更有效率.在 ...<全部>

模拟器件

|

83

宽禁带半导体新时代的来临

发布时间：2020-05-16

第三代半导体中SiC(碳化硅)单晶和GaN(氮化镓)单晶脱颖而出.最有发展前景.第三代半导体主要包括SiC单晶.GaN单晶.ZnO单晶和金刚石.其中又以SiC和GaN为最核心的材料.SiC拥有更高的热导率和更成熟的技术.而GaN直 ...<全部>

材料技术

|

46

相控阵雷达性能的基石:宽禁带半导体

发布时间：2020-05-15

现代电子产品的基础是半导体器件.因此半导体器件的性能就决定了整个电子产品的性能.所谓半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间的物理器件.最开始时.人们对这些物质并不感兴趣.后来才发现半导体的独特性能.有 ...<全部>

材料技术

|

75

技术前沿:新型碳化硅基片提升功率器件

发布时间：2024-11-18

对电动汽车.电信和工业应用中技术的不断增长的需求促使Soitec和Applied Materials共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅(SiC)基板的联合开发计划.该计划旨在提供技术和产品.以改善用于下一代电动汽车的SiC器件 ...<全部>

技术百科

|

182

SiC和GaN:情况如何?

发布时间：2024-11-18

SiC和GaN被称为[宽禁带半导体"(WBG).因为将这些材料的电子从价带扩散到导带所需的能量为:在硅中.该能量为1.1eV. SiC(碳化硅)为3.3eV.GaN(氮化镓)为3.4eV.这导致较高的适用击穿电压.在某些应用中可以达 ...<全部>

技术百科

|

1

给电机用的GaN器件

发布时间：2024-11-18

新兴的电子应用要求电动机设计要从越来越紧凑的平台中获得更高的性能.基于传统硅MOSFET和IGBT的电机驱动器电路.设计师很难满足新的要求.随着硅技术达到功率密度.击穿电压和开关频率的理论极限.设计人员更难控制 ...<全部>

技术百科

|

103

金刚石氮化镓与下一代功率设备

发布时间：2024-11-18

佐治亚理工学院机械工程学院领导的一个研究小组在室温表面活化结合(SAB)的基础上实现了一系列的结果.将氮化镓和具有不同层间厚度的单晶金刚石结合在一起.新开发的技术最大限度地提高了氮化镓性能.用于更高功率的 ...<全部>

技术百科

|

122

同为宽禁带半导体材料.SiC和GaN有何不同?

发布时间：2024-11-18

禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参量.其大小主要决定于半导体的能带结构.禁带越宽.意味着电子跃迁到导带所需的能量越大.也意味着材料能承受的温度和电压越高.越不容易成为导体,禁带越窄.意味着电子跃迁到 ...<全部>

技术百科

|

51

上一个下一个

第二十六届高交会：是时候放出些元宇宙"大招"了

第二十六届高交会：是时候放出些元宇宙"大招"了

|相关标签

|热门文章

郝跃院士:宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

为第三代半导体产业加码.广东成立首个制造业创新中心

碳化硅瞄准新的电力电子行业

相控阵雷达性能的基石:宽禁带半导体

宽禁带在EV充电器中的应用