研发资源 > 标签 > 硅功率产品
|相关技术

eGaN FET比拼MOSFET.驱动器和布局

 发布时间：2020-06-29
在本系列的第一篇文章中.我们使用不同的衡量标准对增强型氮化镓(eGaN)功率器件和先进的硅MOSFET进行了比较.eGaN FET之所以与硅器件不同.是因为它们具有明显更快的开关速度.因此我们必须研究针对栅极驱动.布局 ...<全部>
  • 70
上一个 下一个
|最新活动
第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场
|相关标签
|热门文章
eGaN FET比拼MOSFET.驱动器和布局

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.