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助力革新激光雷达系统设计 EPC推出eToF 激光驱动器IC

发布时间：2021-10-22

宜普电源转换公司(EPC)推出首个氮化镓(GaN)集成电路(IC)系列.实现性能更高.更小巧且采用飞行时间(ToF)技术的激光雷达应用.包括机器人.无人机.3D传感器和自动驾驶汽车等应用.宜普电源转换公司(EPC ...<全部>

嵌入式开发

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精巧的尺寸迸发大能量.EPC全新200V eGaN FET问市

发布时间：2021-06-15

新一代200 V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流.D类音频放大器.太阳能微型逆变器和功率优化器.以及多电平.高压AC / DC转换器的理想功率器件.增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路 ...<全部>

分离器件设计

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epc
eGaN

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EPC推出170 V eGaN®FET.实现优越同步整流.极具成本效益

发布时间：2021-05-14

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出170 V.6.8 mΩ的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET).与目前用于高性能48 V同步整流的器件相比.EPC为设计工程师提供更小型化.更高效.更可靠且成本更低的器件.宜普电源转换公 ...<全部>

半导体生产

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eGaN

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宜普电源转换公司(EPC)于CES® 2019展览展示

发布时间：2020-09-04

EPC公司将于2019年1月8日至11日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2019)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线电源及应用于全自动驾驶汽车的激光雷达(LiDAR).本文引 ...<全部>

电源应用

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eGaN
宜普电源

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eGaN FET比拼MOSFET.驱动器和布局

发布时间：2020-06-29

在本系列的第一篇文章中.我们使用不同的衡量标准对增强型氮化镓(eGaN)功率器件和先进的硅MOSFET进行了比较.eGaN FET之所以与硅器件不同.是因为它们具有明显更快的开关速度.因此我们必须研究针对栅极驱动.布局 ...<全部>

分离器件设计

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70

EPC推出 100 V eGaN®FET产品.性能更高成本更低

发布时间：2024-11-22

新一代100 V氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流.D类音频放大器.汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件.增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(E ...<全部>

半导体生产

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epc
eGaN

194

还在用硅基器件做开关电源?是时候考虑eGaN了

发布时间：2024-11-22

本文首先介绍相比基于传统硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高频电源.基于 eGaN 开关元器件的高频电源优势.接着会介绍如何使用 EPC.Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率级来构建适用于电池充 ...<全部>

电源硬件技术

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