内部FLASH-EDA365

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STM32 内部flash的读写程序

#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) #define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-16

用C语言编程操作SPMC75内部Flash的方法

1引言支持C语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求.当然SPMC75系列单片机也不例外.μ'nSPTM 指令结构的设计就着重考虑对C语言的支持.GCC就是一种针对μ'nSPTM 操作平台的ANSI-C编译器.但是在应...

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-13

STM32F系列单片机内部FLASH编程

STM32F系列单片机内部含有较大容量的FLASH存储器.但没有EEPROM存储器.有时候对于参数的保存不得不另外加一片EEPROM芯片.这对于现如今大部分MCU都是FLASH+EEPROM的配置而言.显的相当的不厚道.尤其是从AVR转过来...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-09

关于Msp430 Flash型单片机内部Flash的操作

1 Msp430Flash型单片机内部Flash存储器介绍MSP430的Flash存储器是可位.字节.字寻址和编程的存储器.该模块由一个集成控制器来控制编程和擦除的操作.控制器包括三个寄存器.一个时序发生器及一个提供编程.擦除电...

技术百科

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发布时间：2020-06-05

MSP430内部flash操作程序

////////////////////////////////////////////////功能:FLASH操作-BYTE数据写入 ////参数:char *Data_ptr,char byte ////返回:无 // //日期:2003.11.6 ////////////////////////////////////////////////void F...

技术百科

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发布时间：2020-06-02

必须知道的stm32内部flash操作细节

1.stm32内部flash写操作只能是两个byte写入.不能一个byte一个byte的写2.写之前需要擦除.擦除后数据均为FF3.内部flash为512kb为大容量.小于512为小容量.在stm32的stm32f10x_flash.c里面FLASH_Status FLASH_EraseP...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-27

关于STM32像EPROM一样可以单字节写内部Flash的理解

都有说STM32的内部Flash可以像EPROM一样操作.单个字节单个字节的写入.根据本人的拙见.其实也就仅仅是[像"而已.原因有以下几点:1.首先Flash这种东西.其写入数据的原理是便是将1变成0.所以你的某地址Flash一旦...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-25

STM32F0 内部Flash作为数据存储的读写

1. 写数据void WriteDataInFlash(uint32_t WriteAddr,uint16_t *OutPtr,uint16_t NumToWrite){uint8_t i=0;//uint16_t temp=0;RCC_HSICmd(ENABLE); FLASH_Unlock();FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGER...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-19

STM32cube直接生成内部FLASH做U盘的程序注意事项

使用STM32cube配置好相关引脚.开启USB的Mass Storage Class功能USB_DEVICE中的MSC_MEDIA_PACKET可以设置大一点.增大缓冲区可以提高速度.对于外部spi-flash来说.要大于4096bytes增加堆栈大小.否则USB无法正常工...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-19

STM32 对内部FLASH读写接口函数

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM.把参数放在STM32的0x08000000+320K处.其中20K是bootloader.300K是应用程序.原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中.然后在RAM中改动.然后擦除整页FLASH.再把改动后的内容写入...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-18

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