器件-EDA365

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安森美推出两款新的MOSFET器件使电池使用时间提升至极致

2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor.美国纳斯达克上市代号:ONNN) 推出两款新的MOSFET器件.用于智能手机及平板电脑应用.作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分.EFC660...

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发布时间：2020-05-23

大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET

大联大控股宣布.其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP.该系列MOSFET能够为服务器.笔记本电脑.电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案.在低负载条...

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发布时间：2020-05-23

Vishay新款栅格电阻具有24kW的高功率和可达+400℃的工作温度

器件采用焊接结构和双面绝缘等鲁棒性设计.使可靠性达到最大日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新系列高功率.大电流的栅格电阻---GRE2.Vishay Milwaukee GRE2电阻是Vishay ...

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器件
GRE2

发布时间：2020-05-23

内置高压MOSFET电流模式电源控制器

杭州士兰微电子即将推出应用于开关电源的内置高压MOSFET.电流模式PWM+PFM控制器--SD486X系列芯片.该系列芯片具有低功耗.低启动电流和较低的EMI.最高效率可以达到84%以上.启动电压.输出电压和最大功率均可调节...

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发布时间：2020-05-23

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E.Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%.为通信.工业和...

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发布时间：2020-05-21

Vishay发布针对CSA编码特殊检验要求的NGR系列中性点接地电阻

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.现可提供针对CSA编码特殊检验的Vishay Milwaukee (Vishay Dale Resistors的产品线之一)NGR系列中性点接地电阻. CSA Group是独立的非盈利组织...

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发布时间：2020-05-21

Power Integrations新推出的200 V Qspeed二极管兼具低恢复损耗和软开关特性.有助于提升效率和降低EMI

美国加利福尼亚州圣何塞.2013年5月13日讯 – 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出LQA200系列200 V二极管.该公司的Qspeed™高性能硅二极管基...

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发布时间：2020-05-21

TDK 集团最近推出了爱普科斯 (EPCOS) 新 X1 电容器系列

TDK 集团最近推出了爱普科斯 (EPCOS) 新 X1 电容器系列.该系列电容器工作电压高达 530 V AC.适用于 EMI 抑制电路中的 X1 位置(L-N).B32911*至 B32918*系列电容器电容范围为 1 nF 至 5.6 µF.此外.该系列电容...

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发布时间：2020-05-21

Vishay 全新官方网站给用户更便捷体验

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发布经过重新设计的公司网站www.vishay.com.以便更好地服务客户.战略合作伙伴和其他用户.通过对主页的产品类别加以重新组织.增强搜索系统和改进...

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发布时间：2020-05-21

ST最新MDmesh™ V功率MOSFET技术

2009年2月17日.意法半导体宣布.功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破.最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻.MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下.采用紧凑型功率封装.使能效...

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发布时间：2020-05-21

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