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技术探讨
凌力尔特推出单个理想高压二极管控制器
2008年7月30日.凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出单个高压理想二极管控制器LTC4358.该器件采用一个内部5AMOSFET.以在大电流应用中为肖特基二极管提供一个简单.低损耗的替代品.该控制器和20mΩ内...
分离器件设计
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凌力尔特
高压
技术探讨
发布时间:2020-06-29
IGBT在客车DC600V系统逆变器中的应用与保护
IGBT综述 1.1 IGBT的结构特点 IGBT是大功率.集成化的[绝缘栅双极晶体管"(Insulated Gate Bipolar Transistor).它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件...
分离器件设计
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DC
器件
技术探讨
铁路客车
供电系
发布时间:2020-06-29
Vishay发布2011年Super 12特色产品
2011 年 5 月 18 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.Vishay发布2011年的[Super 12"特色产品.这些元器件具有业界领先的规格标准.如导通电阻.导通电阻与栅极电荷乘积(FOM).温度...
分离器件设计
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Vishay
Super
技术探讨
发布时间:2020-06-29
飞兆半导体推出Generation II XS DrMOS
高效率.大电流处理能力和小外形尺寸是电源设计人员选择用于电压调节器解决方案的元件的至关重要的因素.为了满足这一需求.全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一...
分离器件设计
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半导体
飞兆半导体
技术探讨
generation
发布时间:2020-06-29
硬开关与软开关功率因数校正电路的研究
1引言前级从220V交流电网整流提供直流是在电力电子技术及电子仪表中应用极为广泛的一种基本变流方案.但整流器-电容滤波电路是一种非线性器件和储能元件的组合.因此虽然输入交流电压是正弦波.但输入电流波形却严...
分离器件设计
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技术探讨
发布时间:2020-06-29
基于高压变频器单元热仿真计算
1 引言 大型电力电子设备.如大功率高压变频器往往要求有极高的可靠性.影响电力电子设备失效的主要形式是热失效.据统计.50%以上的电子热失效主要是由于温度超过额定值引起的.随着温度的增加.失效率也增加....
分离器件设计
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仿真
技术探讨
发布时间:2020-06-29
现有的FTTH技术探讨分析
1.背景 首先.随着用户对宽带接入提出越来越高的要求.现有的宽带接入方式.如ADSL和LAN接入.由于存在传输距离短.接入带宽有限.安全性不高.QoS没有很好的保证等问题.已越来越不能满足用户的需求.第二.光...
集成电路
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FTTH
技术探讨
发布时间:2020-06-23
大功率LED照明技术探讨
高亮度发光二极管(LED)以其耗电量小.寿命长.响应速度快.无频闪.体积小.无污染.易集成化等特点.正在成为传统照明产业升级换代的新一代光源.在节能减排.保护环境日益受到关注的今天.半导体照明更是成为新的...
技术百科
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LED照明
大功率
技术探讨
发布时间:2020-06-08
飞兆半导体推出1200 V 沟槽型场截止IGBT
高压IGBT可降低高功率太阳能逆变器.UPS和电焊机中的总功耗.电路板尺寸和整体系统成本飞兆半导体是全球领先的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商.其推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT.以硬开关工业应用为目...
分离器件设计
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半导体
器件
飞兆半导体
技术探讨
发布时间:2020-05-23
钽电容持续缺货.价格全面攀升
[从今年年初开始.钽电容的供应就一直很紧张."深圳市粤茂源电子有限公司销售经理潘海霞向笔者倾诉.[不但缺货严重.而且所有品牌的钽电容都在涨价." 在2010 IIC-China秋季展深圳站的电子元器件展区.询问和寻...
分离器件设计
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技术探讨
钽电容
发布时间:2020-05-23
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Vishay
采用
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