晶体管-EDA365

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产生零点漂移的原因及解决措施

产生零点漂移的原因很多.任何元件参数的变化(包括电压源电压的波动).都将造成输出电压漂移.实践证明.温度变化是产生零点漂移的主要原因.也是最难克服的因素.这是由于半导体元器件的导电性对温度非常敏感...

电源应用

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发布时间：2021-01-14

利用电阻和晶体管来同步闪烁LED

无所不在的led携其多种尺寸.颜色和输出流明值等.继续拓展其应用范围.其中.集成了内部振荡电路的闪烁LED在嵌入式应用上具有尺寸上的优势.但是设计一个需要多次闪烁LED却是十分困难的.因为每一个闪烁LED都是自动...

显示技术

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发布时间：2021-01-13

功耗降低90%? Intel新晶体管材料曝光

根据报道.Intel公司新推出一种名为[P-channel"和[N-channel"的晶体管能够将处理器的功耗降低至当前处理器产品的10%.Intel公司于日前公布了新材料[P-channel"晶体管的更多细节.新晶体管基于的是硅基.使用了...

接口

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发布时间：2021-01-12

中国发现手机真正发烫的诱因.开启核电池[准入券"

上世纪70年代.一个叫做戈登·摩尔的人凭着自己对于半导体行业的感觉提出了预测.每18个月就能将芯片的性能提高一倍.这个预测在过去的40年中一路证明了自己的正确.而芯片中晶体管的密度也跟着翻倍.翻倍.再翻...

电源应用

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发布时间：2020-12-31

MOSFET靠什么进军IGBT的应用领域?

两个主要类型的功率晶体管:MOSFET和IGBT非常流行.它们在电源系统设计中已经使用了多年.因此.很容易假定它们之间的差异一直保持不变.本文通过解释最新一代MOSFET和IGBT的工作特性.使用户能够更好地了解最能满足...

电源应用

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晶体管
杂散

发布时间：2020-12-29

解析一下技术节点的意思以及晶体管的缩小过程中涉及到三

在摩尔定律的指导下.集成电路的制造工艺一直在往前演进.得意与这几年智能手机的流行.大家对节点了解甚多.例如40nm.28nm.20nm.16nm等等.但是你知道的这些节点的真正含义吗?你知道他们是怎么演进的吗?我们来...

集成电路

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发布时间：2020-12-01

特殊晶体管的检测方法

1.普通达林顿管的检测普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成.其基极b 与发射极e之间包含多个发射结.检测时可使用万用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ档来测量.测量达林顿管各电极之间的正.反向电阻...

测量仪器

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发布时间：2020-11-25

低电压高效率的微波功率放大器

介绍了一种应用于低电压的微波双极性晶体管放大器的电路设计方法.通过分析微波晶体管的模型.比较了小信号法.负载牵引法和文中使用匹配方法对输出功率.效率和线性度的影响.文中设计了一款可以用于GSM通信终端发...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-11-25

晶体管放大电路的频率特性

晶体管放大电路的频率特性一:频率特性简述(1):由于放大电路中存在电抗元件C.因此它对不同频率呈现的阻抗不同.所以放大电路对不同频率成分的放大倍数和相位移不同.放大倍数与频率的关系称为幅频关系,相位与频...

集成电路

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发布时间：2020-11-25

零点漂移产生的原因及常用的抑制方法

产生零点漂移的原因很多.任何元件参数的变化(包括电压源电压的波动).都将造成输出电压漂移.实践证明.温度变化是产生零点漂移的主要原因.也是最难克服的因素.这是由于半导体元器件的导电性对温度非常敏感.而...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-11-18

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