双极晶体管-EDA365

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|相关技术

下一代低VCEsat双极晶体管

发布时间：2021-01-08

S. Habenicht D. Oelgeschläger B. Scheffler NXP半导体摘要:近年来.中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进.极大 ...<全部>

接口

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下一代低VCEsat双极晶体管

发布时间：2020-06-29

近年来.双极晶体管发展势头强劲.过去.大功率开关应用主要依靠MOSFET;现在.越来越多的应用领域(例如.消费电子和通信领域的便携式设备的充电电路和负载开关)正日益采用双极晶体管.其中的主要原因是:通过提高半 ...<全部>

分离器件设计

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电子辐照对功率双极晶体管损耗分析

发布时间：2020-06-15

功率双极晶体管由于其低廉的成本. 在开关电源中作为功率开关管得到了广泛的应用.应用电子辐照技术可以减小少子寿命. 降低功率双极晶体管的储存时间.下降时间. 提高开关速度. 且一致性.重复性好. 成品率高. ...<全部>

技术百科

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IR公司推出了新型1200V超高速绝缘栅双极晶体管

发布时间：2020-06-11

功率半导体和管理解决方案的全球领导者-国际整流器(IR)推出了一系列坚固耐用且可靠的1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT).用于工业电机驱动和不间断电源(UPS)应用. .这款新器件采用IR的场截止通道超薄晶圆技 ...<全部>

技术百科

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电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响

发布时间：2020-06-09

中心议题:开关电源中开关晶体管的损耗开关电源中开关晶体管的电子辐照实验电子辐照双极晶体管和钳位型双极晶体管的比较功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一. 采用10M eV电子辐照来降低功率双 ...<全部>

电源硬件技术

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