晶体管-EDA365

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计算技术界的大新闻:1nm晶体管诞生

据外媒报道.近日.沉寂已久的计算技术界迎来了一个大新闻.劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限.将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm.晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标.晶体管越...

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发布时间：2020-06-12

计算技术界的重大突破:1nm晶体管诞生

据外媒报道.今天.沉寂已久的计算技术界迎来了一个大新闻.劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限.将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm.晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标.晶体管越...

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发布时间：2020-06-12

混合信号设计模拟工具必须迎头赶上

就在不久前.市场上的绝大多数IC从本质上说.不是纯数字电路就是纯模拟电路.而如今.为了满足成本.尺寸.重量和功耗等方面的要求.复杂的模拟和数字功能组合出现在了[混合信号"器件上. 虽然传统的模拟设计和验...

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发布时间：2020-06-11

IR公司推出了新型1200V超高速绝缘栅双极晶体管

功率半导体和管理解决方案的全球领导者-国际整流器(IR)推出了一系列坚固耐用且可靠的1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT).用于工业电机驱动和不间断电源(UPS)应用. .这款新器件采用IR的场截止通道超薄晶圆技...

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发布时间：2020-06-11

IR构建了适用于电机驱动应用的新一代Gen 7 F 600V IGBT

国际整流器公司(IR)推出了600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列.适用于工作在10kHz以下的电机驱动应用.包括冰箱和空调的压缩机.IR的新一代Gen 7 F器件使用击穿通道技术为特定的工作频率提供更高的功率密度.并优化...

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发布时间：2020-06-11

巧用晶体管测试仪增加高压包在路测量功能

如果要增加高压包在路测量功能.将下图中K为反压测试按钮VBR.Rl.Q1.Ll.L2组成自激振荡电路.Dl.D2.D3与Cl.C2.C3.C4.C5.C6构成倍压整流电路.D4为次级线圈L4的整流电路.在次级空载的情况下.测试L4两端的...

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发布时间：2020-06-10

Intel超级MESO芯片突破进展:芯片尺寸缩小5倍.能耗降低30倍

英特尔在一项被称作自旋电子学的技术方面取得了进展.未来芯片尺寸可缩小5倍.能耗可降低至多30倍.当地时间星期一.英特尔和加州大学伯克利分校研究人员阐述了他们在自旋电子学方面的最新进展.未来芯片尺寸将在当...

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发布时间：2020-06-09

Ampleon推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶体管

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P.专门设计用于工作在1.3GHz频谱的粒子加速器应用.该晶体管采用陶瓷4引脚SOT539形式并采用法兰螺栓固定封装(BLF13H9L750P)...

电源硬件技术

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发布时间：2020-06-09

详解稳压电源五大特点

1.功耗小.效率高.在开关稳压电源电路中.晶体管V在激励信号的激励下.它交替地工作在导通-截止和截止-导通的开关状态.转换速度很快.频率一般为50kHz左右.在一些技术先进的国家.可以做到几百或者近1000kHz.这使...

电源硬件技术

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发布时间：2020-06-09

电源应用中场效应晶体管的崩溃效应

前言: 在SMPS(Switching Mode Power Supply)以及DC-DC转换器设计中,使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍.在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度,其电源管理中操作工作频率也要求越来越高.如此会造成...

电源硬件技术

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发布时间：2020-06-09

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