晶体管-EDA365

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TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

2016年7月14日.北京讯德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管.电阻实现业内最低.比传统60-V负载开关低90%.同时.使终端系统功耗得以降低.CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

瑞萨电子宣布开发出全球首款鳍状MONOS闪存单元

可将高密度嵌入式闪存嵌入最先进的高性能逻辑制程2016年12月7日.日本东京讯--全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布成功开发出全球首款(注1)分离闸金属氧化氮氧化硅(SG-MONOS....

嵌入式开发

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发布时间：2020-05-21

未来有可能诞生超级芯片.半导体行业将进入新层级

摩尔定律延续的希望来了! Nature发布的最新论文显示.英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员正在研究超级芯片.已经在[自旋电子学"领域取得突破进展. 目前.摩尔定律为[半导体芯片中可容纳的元器件数目.约18个月...

嵌入式开发

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发布时间：2020-05-21

LED首字母代码是什么意思?一款高低电平智能控制的LED电路设计

LED首字母代表型号是什么? 命名规制 1.A--公司名称:采用公司缩写名称[XM"表示. 2. B--灯名:采用天花灯前两个字[灯条"的汉语拼音的第一个字母表示.大写为[DT", 3.C--发光颜色代号:LED的发光颜...

显示技术

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发布时间：2020-05-20

LCD驱动工作原理 .基于51单片机LCD底层时序程序该如何编写?

LED驱动原理方式解析: (1)被动矩阵LCD技术高信息密度显示技术中首先商品化的是被动矩阵显示技术.它得名于控制液晶单元的开和关的简单设计.被动矩阵液晶显示的驱动方式是由垂直与水平方向的电极所构成的...

显示技术

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发布时间：2020-05-20

龙芯新产品今年底完成量产进入市场

据消息人士透露.龙芯处理器最新产品四核CPU龙芯3A.单核CPU龙芯2G已开始量产.并预计在今年内完成量产.进入市场.目前.相关的多款开发系统与应用方案设计已经完成. 据悉.龙芯3A产品主要针对高性能.低功...

嵌入式开发

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发布时间：2020-05-20

三极管和场效应管测量

三极管和场效应管测量一 .场效应管的测量将万用表拨至R×100档.红表笔任意接一个脚管.黑表笔则接另一个脚管.使第三脚悬空.若发现表针有轻微摆动.就证明第三脚为栅极.欲获得更明显的观察效果.还可利用人体靠近...

电源硬件技术

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发布时间：2020-05-20

如何用万用表判断IGBT的好坏

IGBT(绝缘栅双极型晶体管).是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件.兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点.GTR饱和压降低.载流密度大.但...

测量仪器

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发布时间：2020-05-20

SMT晶体管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的设计与实现

氮化镓技术的不断进步促使设备在更高的功率.电源电压和频率下工作.如图1所示. Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50 μm GaN-on-SiC技术.它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN(双边扁平无引脚)封装.与传统的金属陶瓷封...

测量仪器

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发布时间：2020-05-20

igbt的使用方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).绝缘栅双极型晶体管.是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件. 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面...

电源硬件技术

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发布时间：2020-05-20

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