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氮化镓
宽禁带半导体新时代的来临
第三代半导体中SiC(碳化硅)单晶和GaN(氮化镓)单晶脱颖而出.最有发展前景.第三代半导体主要包括SiC单晶.GaN单晶.ZnO单晶和金刚石.其中又以SiC和GaN为最核心的材料.SiC拥有更高的热导率和更成熟的技术.而GaN直...
材料技术
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SiC
氮化镓
宽禁带
第三代半导体
发布时间:2020-05-16
大尺寸磊晶技术突破 GaN-on-Si基板破裂问题有解
近年来氮化镓(GaN)系列化合物半导体材料已被证实极具潜力应用于液晶显示器(LCD)之背光模组.光学储存系统.高频与大功率之微波电子元件等商业用途.然而.目前商品化的氮化镓系半导体光电元件均以蓝宝石(Sapphi...
通用照明
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lcd
gan
氮化镓
GaN-on-Si
磊晶技术
发布时间:2020-05-14
氮化镓(GaN):5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素
5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化.无论是硅衬底还是碳化硅衬底.氮化镓(GaN)都将获得快速发展.从2G到5G.通信频率在不断地向高频发展.因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高....
RF技术
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5g
无线充电
氮化镓
射频前端
发布时间:2024-12-23
氮化镓市场前景光明.快充技术越来越平民化
在5G.电动车.电源装置等应用的推动下.第三代半导体材料氮化镓(GaN)产业需求已逐渐升温.由于对设计.制造业者来说.资金.良率.成本.技术等环节皆为投入GaN领域的考验.因此早期多由欧美IDM业者开始发展.如今...
材料技术
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gan
氮化镓
发布时间:2024-12-23
氮化镓(GaN)的优势与技术特点
行业俯瞰整个微波行业.包括防务.安全.工业和通信等领域.都在不断变化发展中.从高功率这一角度出发.推动防务发展的动力一方面是基于宽带隙器件的固态雷达系统的发展;另一方面是出于建造多频段带宽的高效.紧凑...
技术百科
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氮化镓
发布时间:2024-12-23
GaN Systems推出12V D类音频放大器参考设计
氮化镓不止在电源转换.在音频功放领域.同样可以发挥其优势.氮化镓功率开关供应商GaN Systems日前发布了其最新的参考设计.[使用GaN功率晶体管的12V高效音频参考设计".该参考设计是针对其D级音频放大器评估套件....
放大器-比较器-模拟开关
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gan
氮化镓
发布时间:2024-12-23
氮化镓功率晶体管需要匹配合适的门极驱动器
节能举措.如企业服务器和云数据中心电源的[80+ Titianium".以及外部电源适配器的欧盟行为准则(CoC) Tier 2.正使电源设计人员转而选择GaN开关技术.以实现更高能效的设计.由于GaN并不是现有硅技术的直接替...
技术百科
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功率晶体管
氮化镓
门极驱动器
发布时间:2024-12-23
缩减BOM.提高效率.Power Integrations全新氮化镓技术问市
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations宣布其InnoSwitch™3-MX隔离式开关电源IC产品系列扩大阵容.再添三款全新PowiGaN™器件.作为已采用Power Integrations的InnoMux™控制器IC芯片组的...
材料技术
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氮化镓
发布时间:2024-12-23
2.8GHz–3.6GHz 20W氮化镓Doherty功率放大器的设计方法
无线电收发器最关键的组成部分之一是功率放大器.负责在传输前提升调制信号.因为它消耗了整个无线电系统消耗的大部分能量.功率放大器的性能确实可以决定发射机的整体性能.不仅在转换效率方面.而且在线性...
RF技术
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功率放大器
氮化镓
doherty
设计方法
发布时间:2024-12-23
GaN为何这么火?
[GaN为何这么火?"如果再有人这么问你.最简单的回答:[因为我们离不开电源.并且我们不断追求更好的电源系统!"...
电源
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gan
氮化镓
电源转换器
LMG3410
LMG3410R050
DE0-Nano-SoC
发布时间:2024-12-23
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