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关于芯片的那些事儿

三星宣布.加入了11nm 工艺.性能比此前的14nm提升了15%.单位面积的功耗降低了10%.若要遵循摩尔定律继续走下去.未来的半导体技术还会有多大所提升空间呢?10年前我们觉得65nm工艺是极限.因为到了65nm节点二氧化硅...

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发布时间：2024-12-04

数字电路处理中仿照技术正在渐渐没落

数字电路处理中仿照技术正在渐渐没落-在这样一个对数字电路处理有利的世界中.仿照技术更多地用来处理对它们晦气的进程.但这个现象或许正在改动....

模拟电子

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发布时间：2024-01-02

中芯国际在上海建设12英寸芯片项目

与非网2月9日讯据上海市发改委近日公布的 2021 年上海市重大建设项目清单.中芯国际的的 12 英寸芯片 SN1 项目入选.目前已处于在建状态....

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发布时间：2022-08-19

格芯交付7纳米FinFET技术在即与原14纳米FinFET相比.将提升40%的性能

格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术.其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器.云服务器和网络基础设施等应用的需求.设计套件现已就绪.基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年...

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发布时间：2022-05-16

台积电10nm产能有限或迫使麒麟970改用12nm FinFET工艺

台媒报道指.台积电的10nm工艺开始全力为苹果生产A11处理器.在目前情况下可能已难有产能供应给其他芯片企业.这会否迫使希望在9月之前发布mate10的华为改用12nmFinFET工艺生产麒麟970?下面就随嵌入式小编一起来了解...

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发布时间：2022-05-16

胡正明:技术创新可能让半导体晶体管密度再增加1000倍

[半导体市场正在经历由技术推动到需求推动的转变.而半导体技术上的创新.可能让半导体晶体管密度再增加1000倍.仍有巨大空间."近日.美国加州大学伯克利分校教授.国际微电子学家胡正明在接受集微网采访时表示.下...

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FinFET
7纳米

发布时间：2022-04-27

FinFET布局和布线要经受的重大考验

随着高级工艺的演进.电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强.与此同时.他们同样面临许多新的设计挑战.多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制.另外为降低功耗和提高性...

模拟电路设计

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发布时间：2022-04-20

英特尔FinFET专利被起诉为无效.赔偿或超2亿元

7月28日下午.国家知识产权局专利复审委员会(下称[复审委")口头审理了201110240931.5(下称[FinFET专利")发明专利的无效申请.无效申请的请求人是英特尔(中国)有限公司(下称[英特尔").而专利权人为中国科学...

半导体生产

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发布时间：2022-01-17

全包围栅极结构将取代FinFET

作者:泛林Nerissa Draeger博士FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管--芯片[大脑"内的微型开关--制造带来了颠覆性变革.与此前的平面晶体管相比.与栅极三面接触的[鳍"所形成的通道更容易控制...

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发布时间：2021-11-02

2021年对先进制程产能会谨慎扩产

与非网2月8日讯 2月5日.在2020年第四季度电话会上.中芯国际对先进制程的想法其中提到:保证生产的连续性,谨慎扩产.去年年底公司已经完成了15000片安装产能的目标.但离经济规模尚远.如需进一步扩产.还需要走出口许可证申请流程....

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发布时间：2021-09-24

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一颗引发行业变革的红外芯片

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